“到2025年，西安(an)高新區(qu)(qu)要圍繞‘五大(da)引(yin)領’，實施(shi)八(ba)個(ge)百億級(ji)強基工(gong)程(cheng)，打造(zao)八(ba)個(ge)千(qian)億級(ji)產業集群，實現(xian)兩個(ge)萬億級(ji)目標，”在(zai)談及高新區(qu)(qu)2016年提出(chu)‘5882戰略’時，西安(an)高新技術產業開發(fa)區(qu)(qu)管委會投(tou)資促進一局副局長(chang)馬(ma)寧表示(shi)。

　　所(suo)謂八個(ge)千(qian)億級產(chan)(chan)(chan)業(ye)集群，是指包括半導體(ti)產(chan)(chan)(chan)業(ye)、智(zhi)能終(zhong)端產(chan)(chan)(chan)業(ye)、高(gao)端裝備制(zhi)造產(chan)(chan)(chan)業(ye)、生(sheng)物醫藥產(chan)(chan)(chan)業(ye)、金融服務業(ye)、軟件信息服務業(ye)、軍民融合產(chan)(chan)(chan)業(ye)、創新(xin)創業(ye)在內的產(chan)(chan)(chan)業(ye)集群。其中，首當其沖的便是半導體(ti)產(chan)(chan)(chan)業(ye)。

　　事實上，西安(an)在(zai)(zai)半導體產業方(fang)面的動(dong)作(zuo)與(yu)成就有目(mu)共(gong)睹。繼2012年西安(an)高(gao)新(xin)區首次引(yin)進三星(xing)電子(zi)存儲(chu)芯(xin)片(pian)項目(mu)后，2018年3月28日，三星(xing)（中國(guo)）半導體有限公(gong)司存儲(chu)芯(xin)片(pian)二期(qi)項目(mu)開工(gong)奠基儀式在(zai)(zai)西安(an)市高(gao)新(xin)區舉行。

　　“如今西安的半(ban)導體產業規模大(da)約在800億，千億級已指日可待。”一(yi)(yi)(yi)位西安高新(xin)區(qu)人士(shi)表示，“自2016年正式(shi)提出‘三(san)次創(chuang)(chuang)業’之(zhi)后，高新(xin)區(qu)圍繞‘聚焦三(san)六九(jiu)，振興(xing)大(da)西安’的目標，努(nu)力將高新(xin)區(qu)打(da)造為全球一(yi)(yi)(yi)流的創(chuang)(chuang)新(xin)中心，引領(ling)‘一(yi)(yi)(yi)帶一(yi)(yi)(yi)路’創(chuang)(chuang)新(xin)之(zhi)都和(he)(he)全球創(chuang)(chuang)新(xin)網絡重要樞紐，屹立于國際科技創(chuang)(chuang)新(xin)和(he)(he)開放浪潮的最前沿(yan)。”

　　半導體“擴容”

　　3月28日，隨著上千只(zhi)氣球飛(fei)入天際(ji)，三星半(ban)導體(ti)存(cun)儲芯(xin)片(pian)二期項目(mu)在西安市(shi)正式開工。據了解，該二期項目(mu)投資額70億美(mei)元，主要將量產V-NAND，計劃2019年產線竣工。

　　“集成(cheng)電路產(chan)業是支(zhi)撐經(jing)濟社會發展(zhan)和保障國家安全的(de)戰略性(xing)、基礎性(xing)和先(xian)導性(xing)產(chan)業，”工(gong)業和信(xin)息(xi)化部(bu)部(bu)長苗(miao)圩在(zai)開工(gong)儀式的(de)致辭中指出，“加快發展(zhan)集成(cheng)電路產(chan)業是搶抓新一輪科技和產(chan)業革命機遇、培育經(jing)濟發展(zhan)新動能(neng)的(de)戰略選擇(ze)，是深化供(gong)給側結構(gou)性(xing)改革、推(tui)動經(jing)濟高質量發展(zhan)的(de)根本舉措(cuo)。”

　　資(zi)料顯示，中(zhong)國既是存儲芯片最大(da)的需求(qiu)者，也是全球移動通訊、IT行業的集中(zhong)生產基地。作(zuo)為中(zhong)國西部的重要(yao)省(sheng)份，陜(shan)西省(sheng)也憑借自(zi)身優勢，積極爭取科技高(gao)地。

　　“此次三星二期項目的建成(cheng)投產，將進一(yi)(yi)步鞏固(gu)西安作為全球最大半導體(ti)3D閃存芯片(pian)(pian)生產基地的地位(wei)，帶動新一(yi)(yi)批(pi)半導體(ti)配套企業(ye)落(luo)戶西安，有效提高(gao)西安半導體(ti)產業(ye)的國際競(jing)(jing)爭(zheng)力(li)和產業(ye)配套能力(li)，使西安成(cheng)為全球半導體(ti)存儲芯片(pian)(pian)領域的重要一(yi)(yi)極(ji)。”西安市市長上官吉慶指出，“同時(shi)，也將有力(li)促進陜(shan)西產業(ye)結構調整、產業(ye)核心競(jing)(jing)爭(zheng)力(li)提升(sheng)，助推陜(shan)西‘追趕超越’發展。”

　　事(shi)實上(shang)，本次二期半(ban)導(dao)體項(xiang)(xiang)目(mu)的(de)開工，是西安半(ban)導(dao)體產(chan)業集群的(de)再次“擴容”。2012年，西安高(gao)新區(qu)已(yi)成功引(yin)進三(san)星電子存儲芯(xin)片(pian)一期項(xiang)(xiang)目(mu)，總投資達100億美元(yuan)，占(zhan)地面積共34.5萬平方米。據三(san)星方面人士介紹稱，一期工程生產(chan)有(you)效(xiao)應對了閃存芯(xin)片(pian)的(de)需(xu)求，“基于(yu)此，三(san)星的(de)半(ban)導(dao)體產(chan)業競爭力進一步得到強化。”

　　而此(ci)次“擴(kuo)容”半導(dao)體項目，得(de)益于(yu)半導(dao)體需求(qiu)的(de)(de)擴(kuo)張。在開工儀式(shi)中，三星電子首席執行官金奇南表示，將通(tong)過二期的(de)(de)成功運(yun)營，生產最尖端(duan)的(de)(de)存儲芯片(pian)，為客(ke)戶提(ti)供獨(du)具匠心的(de)(de)解(jie)決方案，并(bing)以此(ci)為全(quan)球IT市場的(de)(de)成長(chang)做出貢獻。

　　“在西(xi)安生產(chan)的(de)NAND FLASH是包括(kuo)向企(qi)業供應的(de)高端產(chan)品(pin)，市場目(mu)前處于持(chi)(chi)續(xu)成(cheng)長中(zhong)，西(xi)安生產(chan)線無法滿足三星和合作商的(de)需求，因此需要擴(kuo)建生產(chan)線。”三星方面(mian)人士(shi)表示。“隨(sui)著半(ban)(ban)導體需求持(chi)(chi)續(xu)擴(kuo)大，客戶方面(mian)提出對半(ban)(ban)導體穩定(ding)供應的(de)憂慮(lv)(lv)。希望(wang)此次二期動工計(ji)劃有助于合作商打消顧(gu)慮(lv)(lv)，更好地投入到新產(chan)品(pin)的(de)開發(fa)。”