近日，中國(guo)汽(qi)車芯片產(chan)業創新(xin)戰略聯盟功率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)分(fen)(fen)會(hui)(hui)（簡稱“分(fen)(fen)會(hui)(hui)”）在長(chang)沙(sha)成立(li)。分(fen)(fen)會(hui)(hui)首(shou)任理事長(chang)董揚表示，功率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)是發展新(xin)能源(yuan)汽(qi)車的核心器件，分(fen)(fen)會(hui)(hui)將(jiang)努力(li)構(gou)建功率(lv)(lv)半導(dao)體(ti)(ti)產(chan)業標準體(ti)(ti)系和生態(tai)體(ti)(ti)系。

　　多位功率半(ban)(ban)導體(ti)產(chan)業(ye)(ye)鏈從業(ye)(ye)者表示，隨(sui)著新能源汽(qi)車(che)產(chan)業(ye)(ye)高速發展，國內碳化硅(gui)功率半(ban)(ban)導體(ti)發展空間很大。不(bu)過，行業(ye)(ye)目前面臨部分(fen)環節成本高昂、有效產(chan)能不(bu)足、標準體(ti)系不(bu)夠完善等問題，需(xu)加(jia)強統籌(chou)規劃和產(chan)業(ye)(ye)協同。

　　降低生產成本

　　以碳(tan)化硅為代(dai)表的第三(san)代(dai)半導體在(zai)高功率、大電壓(ya)環(huan)境下具有更好的導熱性(xing)(xing)、耐壓(ya)性(xing)(xing)等特性(xing)(xing)，新能源車領域對(dui)碳(tan)化硅器(qi)件的需(xu)求(qiu)不斷攀升(sheng)。

　　根據TrendForce集邦(bang)咨詢(xun)研(yan)究，隨著越來越多車企(qi)在電驅系統中(zhong)導入碳化硅(gui)技術，預計2026年車用碳化硅(gui)功率器件市場規模將攀(pan)升至39.4億(yi)美元(yuan)。

　　成(cheng)本是(shi)影響碳(tan)化(hua)硅半導(dao)體(ti)滲透率的重(zhong)要因素。奇瑞(rui)汽車研(yan)發總(zong)院芯片規劃總(zong)監郭宇輝向(xiang)記(ji)者介紹，當前業(ye)內的共識是(shi)，20萬元(yuan)以(yi)內的電動(dong)(dong)車用IGBT（絕緣柵雙極型晶體(ti)管），20萬元(yuan)以(yi)上的電動(dong)(dong)車用碳(tan)化(hua)硅功(gong)率半導(dao)體(ti)。碳(tan)化(hua)硅半導(dao)體(ti)損耗小、耐高壓(ya)、耐高溫，是(shi)功(gong)率半導(dao)體(ti)的重(zhong)要發展方向(xiang)，業(ye)內正在共同(tong)努力降(jiang)低碳(tan)化(hua)硅功(gong)率半導(dao)體(ti)成(cheng)本。

　　三(san)安半(ban)導體銷售(shou)副總經理張真榕告訴記者，碳化硅襯底(di)占(zhan)碳化硅芯片成本約(yue)60%，降低碳化硅襯底(di)成本并穩定(ding)提(ti)高產(chan)量是(shi)三(san)安半(ban)導體下(xia)一步工(gong)作重(zhong)點(dian)。

　　三(san)安半導體建有國(guo)內首條、全球(qiu)第三(san)條碳化(hua)硅垂直整(zheng)合產(chan)業(ye)鏈。在碳化(hua)硅襯底(di)產(chan)能(neng)方面，其一期工程從2021年(nian)6月(yue)投(tou)產(chan)以(yi)來產(chan)能(neng)已(yi)爬升至1.5萬(wan)片/月(yue)，二期工程預計將于2023年(nian)完工，達產(chan)后一二期可(ke)擁(yong)有50萬(wan)片/年(nian)的6英寸碳化(hua)硅晶圓(yuan)產(chan)能(neng)。

　　張真榕介(jie)紹，碳化(hua)硅襯底的生產(chan)在晶(jing)體質量(liang)、長(chang)晶(jing)效(xiao)率、切(qie)磨拋損(sun)耗方面存在技術瓶頸。“這是(shi)行業企業努力攻克的難(nan)關。隨著產(chan)業化(hua)推進和產(chan)學研合作(zuo)，未來有很(hen)大(da)降本空間”。

　　張(zhang)(zhang)真榕對降(jiang)低碳(tan)化硅(gui)襯底成本充滿信心。“預計碳(tan)化硅(gui)芯片成本每年會下降(jiang)5-8個(ge)百(bai)分點。”張(zhang)(zhang)真榕透露，三安半(ban)導體將在二期工程中(zhong)布局8英(ying)寸碳(tan)化硅(gui)晶(jing)圓產線(xian)。這是提高產能、降(jiang)低成本的(de)路徑之一。

　　完善標準體系

　　汽車芯片(pian)的應(ying)用場景(jing)較(jiao)為特(te)殊，對環境(jing)適應(ying)性、可靠性和安(an)全性的要求較(jiao)為嚴苛(ke)。據統計，車規級(ji)芯片(pian)在上車前的送樣(yang)驗證周期一般需要兩年左右時間。

　　中(zhong)國第一(yi)汽車(che)(che)集團有限公司功率電(dian)子(zi)所所長趙永強表示，希望分會進一(yi)步促進整(zheng)車(che)(che)廠和半導(dao)體廠協同(tong)共進，創(chuang)建國產碳化硅芯(xin)片應用示范(fan)項目，引導(dao)國產碳化硅器件大規模“上車(che)(che)”。

　　產業(ye)(ye)發展，標(biao)(biao)準(zhun)(zhun)先行。士蘭微功率模塊(kuai)業(ye)(ye)務相關負責人說，建議完善(shan)汽(qi)車功率芯片的(de)標(biao)(biao)準(zhun)(zhun)體系。張真榕表示，希(xi)望(wang)在(zai)驅動(dong)電壓、模塊(kuai)封裝等領(ling)域完善(shan)標(biao)(biao)準(zhun)(zhun)，促進通用化(hua)，發揮規模效(xiao)應(ying)。

　　分(fen)會秘書(shu)長許艷華介紹，分(fen)會囊括了境內從事功(gong)(gong)率(lv)半導體襯底、外延片(pian)、晶圓、器件(jian)、模塊(kuai)、封(feng)測等業(ye)務(wu)的優勢企業(ye)，汽車(che)(che)整車(che)(che)企業(ye)，零(ling)部(bu)件(jian)供應商(shang)，科(ke)研院所，大專院校(xiao)及行業(ye)組(zu)織。2023年，分(fen)會將根據我國(guo)新能源汽車(che)(che)發(fa)展需要，研究制(zhi)定車(che)(che)規級功(gong)(gong)率(lv)芯片(pian)技術體系、產業(ye)發(fa)展路線圖，并(bing)牽頭建(jian)立(li)車(che)(che)規級功(gong)(gong)率(lv)半導體團體標(biao)準(zhun)(zhun)體系，組(zu)織參與(yu)行業(ye)標(biao)準(zhun)(zhun)和國(guo)家(jia)標(biao)準(zhun)(zhun)制(zhi)定修訂(ding)工(gong)作等。

　　工信部裝備一司汽車發展處二級(ji)調研員陳春(chun)梅在(zai)分會(hui)成立大會(hui)上致辭表示，期(qi)待功率半導體分會(hui)緊跟產(chan)業(ye)(ye)發展規劃，研究當前存在(zai)的(de)共性問題，搭建良好(hao)的(de)交流(liu)合作(zuo)平臺(tai)，支撐開展標(biao)準規范制定，探(tan)索(suo)新型商業(ye)(ye)模式。

　　近日工信(xin)部(bu)組(zu)織(zhi)有關單(dan)位(wei)編制的《國(guo)家(jia)汽(qi)車(che)芯(xin)片標準體系(xi)建(jian)設指南（2023版(ban)）》（征求意見稿）提出，到2025年制定30項以(yi)上汽(qi)車(che)芯(xin)片重點標準，到2030年制定70項以(yi)上汽(qi)車(che)芯(xin)片相關標準。